富锌条件下生长氮掺杂氧化锌薄膜的光学和电学性质

报道了采用等离子体辅助分子束外延方法(P-MBE),利用NO作为N源和O源,在c-面蓝宝石(c-Al₂O₃)衬底上外延生长了N掺杂ZnO薄膜。X射线衍射谱(XRD)和吸收谱中都出现了不同于未掺杂样品的特性,X射线光电子谱(XPS)中也发现了N的受主信号。但是在霍尔效应(Hall-effect)测量中,发现该样品并没有出现预期的p型导电特性,而是出现载流子浓度很高(2.15×10²⁰cm^-3)的n型导电特性。结合XPS结果和理论分析,认为在富Zn条件下生长会导致过量的填隙Zn原子,补偿了全部的受主后,又促使其出现了从半导体-金属的Mott转变。     

分光光度法研究铝制品对水样溶出铝含量的影响

采用分光光度法,在pH为3-4的酸度条件下,以二甲酚橙为显色剂,快速检测水样中微量铝的含量.研究了不同情况下不同铝制品对水样溶出铝含量的影响.结果表明:水样在铝制品中放置时间越长,从铝制品中溶解出的铝越多,而且薄的铝制品中溶出的铝要比铝合金锅中溶出的多;当在水中加入一定量的食盐后,由铝制品中溶解出的铝含量明显增多.本方法简便快速,灵敏度高,对样品测定的结果令人满意.     

ZnS作为空穴缓冲层的新型有机发光二极管

采用磁控溅射方法在ITO表面沉积了不同厚度的ZnS超薄膜作为有机发光二极管(OLEDs)的缓冲层,使典型结构(ITO/TPD/Alq3/Al)的OLEDs的发光性能得到改善。ZnS缓冲层厚度对器件性能影响的实验结果表明,当ZnS缓冲层厚度为5nm时,器件电流密度提高了近2倍,亮度提高了2倍;当ZnS缓冲层厚度为10nm时,器件发光的电流效率提高18%,器件的性能得到改善。宽禁带的ZnS缓冲层对空穴从阳极到有机功能层的注入有阻碍作用,促进器件载流子平衡,提高了器件发光效率,改善了器件性能。     

合肥光源高亮度模式Lattice设计

介绍了一组合肥光源新高亮度模式的Lattice. 新的设计维持了储存环上所有元件和光束线位置不变,也没有加入新的元件. 取得了较低发射度. 所有直线节处的垂直方向β函数值都很小，适合插入件的运行. 跟踪计算表明新Lattice具有足够大的动力学孔径用于注入和储存粒子.     

一类广义Schrdinger算子的自伴性与本质谱

本文在一类 Ｌｐ位势Ｖ（ｘ）下建立了广义Ｓｃｈｒｏｄｉｎｇｅｒ算子Ｈ＝（－Δ）ｍ＋Ｖ（ｘ）在Ｃ∞０（Ｒｎ）上的本质自伴性，给出了Ｈ的本质谱的分布．     

Banach空间中优化问题的最优性条件

首先在Contingent切锥意义下界定了Banach空间中非空集合的伪切锥和伪凸性的概念，并讨论了相应的性质，然后针对可微优化问题，在广义凸性假设下，建立了最优性条件。     

Q过程的不变分布(Ⅱ)

设E为一个可数集,Q=（qi,j;i,j∈E）为E×E上的矩阵,满足m为E上的概率分布满足何时存在Q过程,使得m是它的不变分布? 这个问题由Williams（1979）作为一个开问题提出.文[15]对全稳定情形,解决了这个问题;本文对单瞬时情形,完整地解决了该问题.     

基于模糊集相容性的模糊控制规则优化方法

在简要介绍模糊模型的完备性和相容性的基础上 ,根据模糊集贴近度 ,提出模糊集相容性的概念 ;通过对模糊控制规则表特征的分析 ,进一步完善规则相容性概念及其定量评价方法 ;最后给出模糊控制规则模型自寻优优化方法。仿真结果表明 ,该方法可以大大提高控制系统的控制性能。     

用变形全息透镜实现变形分数傅里叶变换

利用一发散点光源和一束倾斜平行光制作出在两个垂直方向上具有不同焦距的变形全息透镜,且用此全息元件实现了变形分数傅里叶变换。变形全息透镜两个方向上的焦距随全息记录条件和再现条件而变化,分析了用这种全息透镜实现变形分数傅里叶变换的条件。实验表明,用该元件能够方便地实现任意级次的变形分数傅里叶变换。     

高Z等离子体中的双电子复合与电子碰撞激发

 采用准相对论性Hartree-Fock-Relativistic方法与不可分辨跃迁组模型相结合，对Au和Ta元素的类Ni离子的双电子复合速率，以及Au元素类Cu离子的电子碰撞激发速率进行了计算。计算结果表明，对于Au类Ni离子的3d¹⁰-3d⁹4l5f-3d¹⁰4l双电子复合过程以及类Cu离子的3d¹⁰4l-3d⁹4l5f电子碰撞激发过程，当电子温度高于1.0 keV时，电子离子碰撞激发速率随电子温度增加而增加，双电子复合速率随电子温度增加而减小，并且电子碰撞激发对谱线辐射的贡献要比双电子复合大得多。